Informe de Engineering Ceramic Co., (EC © ™):
El carburo de silicio (SiC), como material semiconductor de tercera generación, se ha convertido en una importante dirección de desarrollo de la tecnología de materiales semiconductores debido a sus excelentes propiedades, como banda prohibida ancha, alta intensidad de campo eléctrico de ruptura y alta conductividad térmica. En la cadena de la industria de semiconductores, revestimiento de carburo de silicio El carburo de silicio es el material básico para la fabricación de obleas, y la inspección de calidad de los materiales de las obleas de carburo de silicio es un eslabón clave para garantizar el rendimiento. En la industria de semiconductores de China, las tecnologías de detección comúnmente utilizadas para sustratos monocristalinos de carburo de silicio incluyen:
I. Parámetros geométricos
Espesor
Variación del espesor total, TTV
Arco
Deformación
El siguiente informe de prueba proviene del sistema de oblea totalmente automatizado Corning Tropel® FlatMaster® FM200; este equipo se usa ampliamente actualmente en China.
II. Defecto
En los materiales de sustrato monocristalino de carburo de silicio, los defectos generalmente se dividen en dos categorías principales: defectos cristalinos y defectos superficiales.
Defectos puntuales - PD
Defectos del microtubo - MP
Dislocaciones del plano basal - BPD
Dislocaciones de borde - TED
Fallos de apilamiento - SF
Luxaciones de tornillos - TSD
Las tecnologías para detectar defectos superficiales incluyen principalmente
Microscopio Dlectron de barrido - SEM
Microscopio optico
Catodoluminiscencia - CL）
Contraste de interferencia diferencial - DIC
Fotoluminiscencia - PL
Topografía de rayos X - XRT
Tomógrafo de coherencia óptica - OCT
Espectroscopía Raman - RS
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