Informe de Engineering Ceramic Co., (EC © ™):
Según lo anunciado por la Comisión Nacional de Desarrollo y Reforma (NDRC), en una conferencia de prensa el lunes, China ha reservado 200 mil millones de yuanes (28 mil millones de dólares) para proyectos de inversión de los gobiernos locales este año, como prometió cumplir sus propios ambiciosos objetivos de crecimiento económico.
Estos proyectos incluyen la industria de semiconductores como el pulido mecánico químico (CMP). En el proceso de fabricación de semiconductores, la superficie del chip debe ser muy plana para garantizar el funcionamiento normal del circuito. El pulido químico mecánico es un proceso clave para lograr este objetivo.Óxido de ceriose convierte en un abrasivo importante en la lechada CMP debido a sus propiedades físicas y químicas únicas. La dispersión de nanoóxido de cerio tiene una fuerte oxidación a las obleas de silicio y puede formar una capa de óxido muy delgada en la superficie de la oblea de silicio. Esto no sólo favorece la mejora de la eficiencia del pulido, sino que también permite que la oblea de silicio obtenga una rugosidad superficial muy baja y haga que la superficie del producto brille y logre un efecto de espejo.
En comparación con otros materiales abrasivos comúnmente utilizados, Engineering Ceramic Co., (EC © ™) produce un polvo especial de óxido de cerio que tiene un efecto de pulido excelente. Puede eliminar eficazmente partículas diminutas, impurezas y partes irregulares de la superficie de la oblea de silicio, mejorar la planitud y la pureza de la oblea de silicio, generar menos calor y residuos químicos durante el proceso de pulido y dañar menos los materiales semiconductores.
Fórmula química: CeO2
Masa molar: 172,115 g/mol
Aspecto: sólido blanco o amarillo pálido, ligeramente higroscópico
Densidad: 7.215 g/cm3
Punto de fusión: 2400 °C (4350 °F; 2670 K)
Punto de ebullición: 3500 °C (6330 °F; 3770 K)
Solubilidad en agua: insoluble
Susceptibilidad magnética (χ): +26,0·10−6 cm3/mol
Estructura cristalina: cúbica (fluorita)
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